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    • 专利摘要:
    實現一種在將搭載積層電容器之中介層構裝於電路基板後，能有效進行中介層與電路基板之間隙之洗淨之晶片零件構造體。晶片零件構造體1具備搭載積層電容器2之中介層3。中介層3具備基板31、零件連接用電極32A,32B、外部連接用電極33A,33B、及側面電極34A,34B。零件連接用電極32A,32B與外部連接用電極33A,33B之間係藉由側面電極34A,34B電氣連接。零件連接用電極32A,32B接合有積層電容器2之外部電極。在基板31形成有使在兩主面開口對向之空間彼此連通之連通孔39B。
    公开号:TW201308380A
    申请号:TW101123702
    申请日:2012-07-02
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Kazuo Hattori；Isamu Fujimoto
    申请人:Murata Manufacturing Co；
    IPC主号:H01G2-00
    专利说明:
    晶片零件構造體
    本發明係關於一種具備積層電容器與搭載該電容器並構裝於電路基板之中介層之晶片零件構造體。
    現在，晶片零件、尤其是小型積層電容器大多利用於行動電話等移動體終端之電路基板。一般而言，積層電容器係由在複數個電介質層間設有內部電極之長方體狀積層體、與形成在積層體之在長邊方向對向之兩端面之外部電極構成。
    一般而言，積層電容器係藉由在電路基板之構裝用焊墊上載置外部電極並以焊料等接合劑接合構裝用焊墊與外部電極，對電路基板電氣地且物理地連接(例如，參照專利文獻1)。
    此種積層電容器會有因電壓施加產生微小之機械性變形，此變形傳達至電路基板而從電路基板產生可聽到的聲音的情形。作為解決此之構成，有使其他構件介於其間而將電容器構裝於電路基板之情形(例如，參照專利文獻2、3)。作為介於電容器與電路基板之間之構件，使用例如中介層或導電性支承構件。
    中介層為具備接合有積層電容器之外部電極之上面電極、接合於電路基板之構裝用焊墊之下面電極、設於中介層之側端面且將上面電極與下面電極之間加以連接之側面電極之基板。
    導電性支承構件為下述構件，即下部具備接合於電路基板之構裝用焊墊之支承腳，在一對支承腳之間挾持積層電容器，藉此將積層電容器中空地支承。
    專利文獻1：日本特開平8-55752號公報
    專利文獻2：日本特開2004-134430號公報
    專利文獻3：日本特開2010-123614號公報
    在透過中介層將積層電容器構裝於電路基板之情形，例如，在電路基板之構裝用焊墊上設置助焊劑及接合劑，在其上載置晶片零件構造體，使接合劑固化，藉此進行對電路基板之構裝。在構裝後，於固化之接合劑周圍殘留有助焊劑之殘渣，會腐蝕周圍之電極，產生鏽等。因此，在構裝後必須洗淨助焊劑之殘渣。然而，若在電路基板與中介層基板之間隙殘留有助焊劑之殘渣，則不易充分地洗淨該殘渣。
    因此，本發明之目的在於實現一種在將搭載積層電容器之中介層構裝於電路基板後，能有效進行中介層與電路基板之間隙之洗淨之晶片零件構造體。
    本發明係關於在中介層搭載有積層電容器之晶片零件構造體。積層電容器具備積層體與外部電極。積層體為將電介質層與內部電極複數積層之長方體狀之構成。外部電極形成在積層體之側面且電氣連接於內部電極。中介層具備基板與零件連接用電極與外部連接用電極與側面電極。零件連接用電極形成在基板之一方主面即零件搭載面且接合於外部電極。外部連接用電極形成在基板之另一方主面即構裝面。側面電極形成在基板之與零件搭載面及構裝面交叉之側面且將零件連接用電極與外部連接用電極之間加以電氣連接。基板，形成有使構裝面側之空間連通於零件搭載面與積層電容器之間之空間之連通部。
    連通部為在基板之與積層電容器對向區域之中心附近開口之孔亦可。
    又，連通部為在基板側面以到達與積層電容器對向區域之槽深度形成之槽亦可。
    在此等構成，由於空氣或洗淨劑通過連通部，因此能提高從電路基板與中介層基板之間隙洗淨助焊劑之殘渣之效率。
    上述晶片零件構造體，在從主面法線方向觀察與積層電容器重疊之位置形成側面電極亦可。
    又，上述晶片零件構造體為將用於形成該側面電極之基板側面配置在較與該側面平行之位置之積層體側面外側之構成亦可。
    在此等構成，可進一步抑制濕潤中介層之側面電極且到達積層電容器之外部電極之接合劑之量，能抑制在電路基板之可聽到的聲音的產生。
    若使用本發明所示之晶片零件構造體，由於處理液或空氣易於從連通部通過，因此在構裝狀態能有效地洗淨殘留在中介層與電路基板之間隙之助焊劑之殘渣。 (第1實施形態)
    以下，說明本發明第1實施形態之晶片零件構造體1。
    晶片零件構造體1具備詳細構造後述之積層電容器2與中介層3。
    圖1(A)係積層電容器2之俯視圖，圖1(B)係前視圖，圖1(C)係右側視圖。
    積層電容器2具備積層體21與外部電極22A,22B與內部電極23。
    積層體21具有大致長方體狀之外形，該大致長方體狀之外形具有頂面21A、底面21B、正面21C、背面21D、左側面21E、及右側面21F。頂面21A、底面21B、正面21C、背面21D為大致長方形，彼此在長邊側相鄰。左側面21E及右側面21F為大致正方形，在頂面21A、底面21B、正面21C、背面21D之短邊側相鄰。此積層體21在與頂面21A及底面21B垂直之方向積層複數個電介質層而構成。
    內部電極23在積層體21之內部隔著電介質層而積層。
    外部電極22A係設在積層體21之頂面21A、底面21B、正面21C、背面21D之從左側面21E起一定距離之區域及左側面21E。外部電極22B係設在頂面21A、底面21B、正面21C、背面21D之從右側面21F起一定距離之區域及右側面21F。
    此外，對外部電極22A,22B附加耐腐蝕性或導電性而施加既定金屬鍍敷亦可。又，作為積層電容器2利用一般普及之外形尺寸者即可，例如，可利用長邊方向尺寸×短邊方向尺寸為3.2mm×1.6mm、2.0mm×1.25mm、1.6mm×0.8mm、1.0mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm者。
    圖2(A)係中介層3之俯視圖，圖2(B)係前視圖，圖2(C)係右側視圖，圖2(D)係仰視圖，圖2(E)係側面剖面圖，圖2(F)係正面剖面圖。
    中介層3具備基板31、零件連接用電極32A,32B、外部連接用電極33A,33B、及側面電極34A,34B。
    基板31之材質為絕緣性樹脂，具有矩形平板狀外形，該矩形平板狀外形具有頂面31A、底面31B、正面31C、背面31D、左側面31E、及右側面31F。頂面31A為零件搭載面。底面31B為構裝面。與頂面31A及底面31B正交之主面法線方向之厚度為例如0.5mm~1.0mm程度。
    此基板31設有槽部39A及連通孔39B。槽部39A分別設在左側面31E及右側面31F，從主面法線方向觀察俯視形狀為半圓弧狀，從深度方向(與正面31C及背面31D垂直之方向)之中央延伸於主面法線方向。連通孔39B係以分別在頂面31A及底面31B之中央附近開口成圓形狀之方式，貫通設在頂面31A及底面31B之間。
    零件連接用電極32A,32B係形成在頂面31A。零件連接用電極32A係以遍布頂面31A與左側面31E之邊界線之全長之寬度形成在從該邊界線起一定距離且連通孔39B之周緣部以外之區域。零件連接用電極32B係以遍布頂面31A與右側面31F之邊界線之全長之寬度形成在從該邊界線起一定距離且連通孔39B之周緣部以外之區域。
    此外，零件連接用電極32A,32B只要為和頂面31A與側面31E,31F之邊界線接觸之形狀，則任何形狀皆可。例如，若為與積層電容器2之外部電極22A,22B之平面形狀大致一致之平面形狀，則能藉由所謂自動對準效果以高精度將積層電容器2構裝在所欲位置。
    外部連接用電極33A,33B係形成在底面31B。外部連接用電極33A係以除去在底面31B與左側面31E之邊界線之兩側之一定尺寸之寬度形成在從該邊界線起一定距離且連通孔39B之周緣部以外之區域。外部連接用電極33B係以除去在底面31B與右側面31F之邊界線之兩側之一定尺寸之寬度形成在從該邊界線起一定距離且連通孔39B之周緣部以外之區域。
    此外，外部連接用電極33A,33B只要為和底面31B與側面31E,31F之邊界線接觸之形狀，則任何形狀皆可。例如，與構裝晶片零件構造體1之電路基板之構裝用焊墊對應設定形狀即可。
    側面電極34A,34B係形成在槽部39A之圓弧狀之側壁面。側面電極34A使零件連接用電極32A與外部連接用電極33A導通。側面電極34B使零件連接用電極32B與外部連接用電極33B導通。
    圖3(A)係晶片零件構造體1之外觀立體圖，圖3(B)係俯視圖，圖3(C)係前視圖，圖3(D)係右側視圖，圖3(E)係仰視圖，圖3(F)係正面剖面圖。
    晶片零件構造體1係將前述積層電容器2搭載於中介層3而構成。此外，對中介層3之積層電容器2之搭載面為上述頂面21A、底面21B、正面21C、背面21D之任一者皆可。本實施形態中，使基板本體31之平面形狀稍微大於電容器2之平面形狀，使中介層3之槽部39A在底部附近局部地與積層電容器2重疊。
    積層電容器2係以外部電極22A,22B局部地與槽部39A重疊之方式搭載於中介層3，外部電極22A,22B接合於零件連接用電極32A,32B。藉此，積層電容器2之外部電極22A,22B係透過中介層3之零件連接用電極32A,32B、側面電極34A,34B連接於外部連接用電極33A,33B。
    此外，外部電極22A,22B與零件連接用電極32A,32B之接合使用任何方法皆可，但例如可在零件連接用電極32A,32B或外部電極22A,22B預先設置可再熔融之金屬鍍敷(例如鍍錫)，藉由該金屬鍍敷之再熔融實現。藉由使用此種接合方法，零件連接用電極32A,32B與外部電極22A,22B之間可藉由再熔融之金屬鍍敷連接。此外，使用其他接合方法亦可，例如利用焊料等接合劑將積層電容器2與中介層3接合亦可。
    圖4(A)係將晶片零件構造體1構裝於電路基板100之狀態之立體圖，圖4(B)係前視圖，圖4(C)係右側視圖。
    晶片零件構造體1係使用焊料200作為接合劑而構裝於電路基板100。電路基板100具備用於塗布焊料糊及助焊劑之構裝用焊墊101A,101B，在使晶片零件構造體1之外部連接用電極33A,33B接觸於構裝用焊墊101A,101B上之狀態下，使焊料糊熔融、固化，藉此將晶片零件構造體1構裝於電路基板100。若使焊料糊熔融、固化，則熔融焊料濕潤晶片零件構造體1之側面電極34A,34B而形成填角。
    焊料200之填角，從至少構裝用焊墊101A,101B朝向側面電極34A,34B形成。是以，能以充分之接合強度將晶片零件構造體1與電路基板100之間加以接合。又，可防止晶片零件構造體1從電路基板100浮起。又，從填角形狀可目視確認接合不良。作為接合劑，除了焊料200以外，只要為具有適當濕潤性且具有導電性，則使用任何接合劑皆可。
    在此種構成之晶片零件構造體1，在晶片零件構造體1對電路基板100之構裝後，會於焊料200周圍殘留助焊劑之殘渣。助焊劑之殘渣會腐蝕周圍之電極，產生鏽等，因此藉由構裝後之洗淨除去助焊劑之殘渣。本構成中，連通孔39B在與中介層3之兩主面對向之空間、亦即中介層3與積層電容器2之間之空間及中介層3與電路基板100之間之空間分別開口，使此等空間之間通氣，因此洗淨處理液或空氣容易透過連通孔39B通過，能有效洗淨中介層3與電路基板100之間之間隙。為了提高洗淨效果，較佳為，連通孔39B之直徑為積層電容器2之短邊方向尺寸之1/2以上。
    又，在此晶片零件構造體1，中介層3之基板端面從積層電容器2之零件端面離開，槽部39A進入積層電容器2之底面側，僅在該槽部39A之側壁面形成側面電極34A,34B，因此焊料200不易從側面電極34A,34B越過積層電容器2之底面濕潤至中介層3之上面側。是以，即使焊料糊之供應量大至某種程度，焊料200亦不易濕潤至積層電容器2之兩端面之外部電極22A,22B，可抑制到達外部電極22A,22B之焊料200之量。例如，只要為與將積層電容器2直接構裝於構裝用焊墊101A,101B之情形同程度之焊料量，即可將濕潤至外部電極22A,22B之焊料200之高度(Hth)設成可抑制聲音程度之高度。
    因此，積層電容器2與電路基板100並非透過焊料200直接接合，而是實質上透過中介層3間接接合，從構裝用焊墊101A,101B施加電壓而產生之積層電容器2之變形不會透過焊料200直接傳達至電路基板100，因此可大幅降低在電路基板100產生之可聽到的聲音。
    此外，本實施形態中，雖基板31之平面形狀稍微大於積層電容器2之平面形狀，但基板31之尺寸更大亦可，又，更小亦可。例如，即使中介層3之從左側面31E至右側面31F之尺寸與積層電容器2之從左側面21E至右側面21F之尺寸一致，只要預先使槽部39A進入積層電容器2之底面側，則能抑制越過積層電容器2之底面濕潤至積層電容器2之側面之焊料量。 (第2實施形態)
    圖5(A)係第2實施形態之晶片零件構造體1A之俯視圖，圖5(B)係正面剖面圖，圖5(C)係仰視圖。
    本實施形態之晶片零件構造體1A，相對於第1實施形態之晶片零件構造體1，積層電容器2之構造雖相同，但在具備尺寸不同之中介層3A之點不同。因此，以下說明中，對與第1實施形態之構成對應之構成賦予相同符號。
    中介層3A之俯視外形與積層電容器2大致相同。因此，設在基板31之長邊方向之兩端面之槽部39A，圓弧整體進入積層電容器2之外部電極22A及外部電極22B之底面下。
    此構成中，連通孔39B在與中介層3A之兩主面對向之空間、亦即中介層3A與積層電容器2之間之空間及中介層3A與電路基板之間之空間分別開口，使此等空間之間通氣，因此洗淨處理液或空氣容易透過連通孔39B通過，能有效洗淨中介層3A與電路基板之間之間隙。
    又，濕潤至側面電極34A,34B之焊料因積層電容器2之底面被妨礙繞入至中介層3A之上面側，因此可抑制到達外部電極22A,22B之焊料量而獲得振動音抑制效果。
    又，中介層3A之俯視面積與積層電容器2之俯視面積大致相同，因此即使使用中介層3A亦不會擴大構裝面積。是以，能以必要最小限之構裝面積構裝晶片零件構造體1A。 (第3實施形態)
    圖6(A)係第3實施形態之晶片零件構造體1B之俯視圖，圖6(B)係正面剖面圖，圖6(C)係仰視圖。
    本實施形態之晶片零件構造體1B，相對於第1實施形態之晶片零件構造體1，積層電容器2之構造雖相同，但在具備尺寸不同之中介層3B之點不同。因此，以下說明中，對與第1實施形態之構成對應之構成賦予相同符號。
    中介層3B係以較第1實施形態之中介層3更廣之面積構成。此外，設在基板31之長邊方向之兩端面之槽部39A，從主面法線方向觀察時，與積層電容器2之外部電極22A及外部電極22B不重疊，圓弧整體露出。
    此構成中，連通孔39B在與中介層3B之兩主面對向之空間、亦即中介層3B與積層電容器2之間之空間及中介層3B與電路基板之間之空間分別開口，使此等空間之間通氣，因此洗淨處理液或空氣容易透過連通孔39B通過，能有效洗淨中介層3B與電路基板之間之間隙。
    又，由於中介層3B之基板端面與積層電容器2之零件端面大幅離開，因此可抑制焊料到達及濕潤至外部電極22A,22B而獲得振動音抑制效果。
    此外，在此構成之外部連接用電極33A,33B與電路基板之構裝用焊墊之形狀對應適當設定形狀即可。又，省略槽部39A亦可，此情形，側面電極34A,34B適當形成在基板端面即可。 (第4實施形態)
    圖7(A)係第4實施形態之晶片零件構造體1C之俯視圖，圖7(B)係其前視圖，圖7(C)係其右側視圖，圖7(D)係其仰視圖。
    本實施形態之晶片零件構造體1C，相對於第1實施形態之晶片零件構造體1，積層電容器2之構造雖相同，但在具備省略連通孔而設置連通槽之中介層3C之點不同。因此，以下說明中，對與第1實施形態之構成對應之構成賦予相同符號。
    中介層3C之基板31，在正面及背面之中央具備兩端部到達兩主面之連通槽39C。此處，以連通槽39C局部地與積層電容器2之下部重疊之方式設定其槽深度。此構成中，連通槽39C在積層電容器2與中介層3C之間之空間及中介層3C與電路基板之間之空間分別開口，使此等空間之間通氣，因此洗淨處理液或空氣容易透過連通槽39C通過，能有效洗淨中介層3C與電路基板之間之間隙。為了提高洗淨效果，較佳為，連通槽39C之一部分到達在中介層3C之與積層電容器2對向之區域。
    1,1A,1B,1C‧‧‧晶片零件構造體
    2‧‧‧積層電容器
    3,3A,3B,3C‧‧‧中介層
    21‧‧‧積層體
    22A,22B‧‧‧外部電極
    23‧‧‧內部電極
    31‧‧‧基板
    32A,32B‧‧‧零件連接用電極
    33A,33B‧‧‧外部連接用電極
    34A,34B‧‧‧側面電極
    39A‧‧‧槽部
    39B‧‧‧連通孔
    39C‧‧‧連通槽
    100‧‧‧電路基板
    101A,101B‧‧‧構裝用焊墊
    200‧‧‧焊料
    圖1(A)~(C)係說明第1實施形態之積層電容器之構成之圖。
    圖2(A)~(F)係說明第1實施形態之中介層之構成之圖。
    圖3(A)~(F)係說明第1實施形態之晶片零件構造體之構成之圖。
    圖4(A)~(C)係說明第1實施形態之晶片零件構造體之構裝狀態之圖。
    圖5(A)~(C)係說明第2實施形態之晶片零件構造體之構成之圖。
    圖6(A)~(C)係說明第3實施形態之晶片零件構造體之構成之圖。
    圖7(A)~(D)係說明第4實施形態之晶片零件構造體之構成之圖。
    1‧‧‧晶片零件構造體
    2‧‧‧積層電容器
    3‧‧‧中介層
    21‧‧‧積層體
    22A,22B‧‧‧外部電極
    31‧‧‧基板
    32A,32B‧‧‧零件連接用電極
    33A,33B‧‧‧外部連接用電極
    34A,34B‧‧‧側面電極
    39A‧‧‧槽部
    39B‧‧‧連通孔
    权利要求:
    Claims (9)
    [1] 一種晶片零件構造體，具備：積層電容器，具備將電介質層與內部電極複數積層之長方體狀之積層體、與該內部電極電氣連接且形成在該積層體之側面之外部電極；以及中介層，具備平板狀之基板、形成在該基板之一方主面即零件搭載面且接合於該外部電極之零件連接用電極、形成在該基板之另一方主面即構裝面之外部連接用電極、與形成在該基板之與該零件搭載面及該構裝面交叉之側面且將該零件連接用電極與該外部連接用電極之間加以電氣連接之側面電極；該基板係設有使該構裝面側之空間連通於該零件搭載面與該積層電容器之間之空間之連通部。
    [2] 如申請專利範圍第1項之晶片零件構造體，其中，該連通部為在該基板之與該積層電容器對向區域之中心附近開口之孔。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之晶片零件構造體，其中，該連通部為在該基板側面以到達與該積層電容器對向區域之槽深度形成之槽。
    [4] 如申請專利範圍第1或2項之晶片零件構造體，其中，該側面電極係形成在從主面法線方向觀察該中介層時與該積層電容器重疊之位置。
    [5] 如申請專利範圍第3項之晶片零件構造體，其中，該側面電極係形成在從主面法線方向觀察該中介層時與該積層電容器重疊之位置。
    [6] 如申請專利範圍第1或2項之晶片零件構造體，其中，該中介層為將用於形成該側面電極之側面配置在較與該側面平行之位置之該積層體側面外側之構成。
    [7] 如申請專利範圍第3項之晶片零件構造體，其中，該中介層為將用於形成該側面電極之側面配置在較與該側面平行之位置之該積層體側面外側之構成。
    [8] 如申請專利範圍第4項之晶片零件構造體，其中，該中介層為將用於形成該側面電極之側面配置在較與該側面平行之位置之該積層體側面外側之構成。
    [9] 如申請專利範圍第5項之晶片零件構造體，其中，該中介層為將用於形成該側面電極之側面配置在較與該側面平行之位置之該積層體側面外側之構成。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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